安森美推出基于第3代超场终止技术的1200V器件，进一步扩展IGBT系列

2016-05-12 11:19:03 未知

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为大功率开关系统设置了新的功效标准

致力于推动能效创新的安森美半导体公司推出新系列绝缘栅双极晶体管（IGBT），其采用公司专有的超场终止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平，以符合现代开关应用的严格要求。这些1200V器件能实现行业领先的总开关损耗（Ets）特性；显著提升的性能部分归因于极宽的高活性场终止层及优化的共同封装二极管。

NGTB40N120FL3WG的Ets为2.7毫焦耳（mJ），而NGTB25N120FL3WG的Ets为1.7mJ。两款器件在各自额定电流下的VCEsat均为1.7 V。NGTB40N120L3WG经优化提供低导通损耗，额定电流下的VCEsat为1.55 V，Ets为3 mJ。新的超场终止产品与一个具有软关断特性的快速恢复二极管共同封装在一起，仍提供最小的反向恢复损耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常适于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器，而NGTB40N120L3WG则主要针对电机驱动应用。

安森美半导体公司功率分立器件分部高级总监兼总经理Asif Jakwani说：“我们把新的超场终止IGBT配以优化的快速恢复二极管达到最佳状态，完美地平衡了VCEsat和Ets，从而降低开关损耗，并增强硬开关应用在宽范围开关频率的电源能效。同时它还提供工程师期望从IGBT获得的强固工作和高性价比。”

封装和定价

NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG均采用符合RoHS的TO-247封装，每10,000片的单价分别为2.02美元、1.76美元和2.12美元。

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