TSMC：7nm高性能芯片6月流片，2019年试产5nm工艺
2017-05-26 20:04:54 n三星今天宣布了未来三年的半导体制造工艺路线图，将推出8nm、7nm、6nm、5nm及4nm工艺，其中2020年的4nm工艺将是一个重大技术突破，将会采用全新的Multi Bridge Channel FET结构（简称MBCFET，多沟道场效应管）解决现有FinFET晶体管的缺陷。无独有偶，三星的老对手TSMC今天也召开了年度技术大会，虽然没有宣布三星4nm那样的技术突破，不过TSMC表示10nm已经开始量产，7nm明年就能量产，5nm则会在2019年风险试产。
TSMC公司联席CEO魏哲家在会议上提到他们已经累计服务了450多家代工伙伴，涉及移动运算、高性能计算、自动驾驶及IoT物联网等领域，平均算下来每周新增一家客户。
在半导体制程工艺上，TSMC表示移动领域的10nm工艺已经量产，7nm已经有12个客户流片，预计2018年量产，5nm则会在2019年风险试产。
高性能部分，7nm芯片在6月份会有流片——TSMC的高性能客户不多（相对移动、低功耗产品来说），NVIDIA还有之前的AMD都算是高性能芯片用户，目前公开宣布7nm路线图的也没几家，NVIDIA的7nm芯片大概没这么早，AMD倒是说今年晚些时候有7nm芯片流片，不过时间也不太对得上。
虽然AMD之前公布的路线图中说7nm还是继续由GF代工，但是从之前双方的晶圆供应协议来看，AMD在7nm节点保留了选择别的代工伙伴的权利，GPU这种高性能芯片转交给TSMC代工也不是没可能。大家觉得AMD会重新回归TSMC代工的怀抱吗？赞成的加小超哥（id：95101417）微信来聊聊。
除此之外，TSMC的16nm FFC芯片在车载电子领域也会有8款芯片流片，7nm工艺还将在2018年通过AEC-Q100认证。
