CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
2024-06-05 08:07:34 EETOP无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装,坚固可靠。
Nare Gabrielyan | CGD 产品市场经理 “新型封装是我们战略的一部分,为了使客户将我们的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用,获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN™ 产品系列的这些固有特性。” |
提高热阻性能有以下好处:第一,在相同的RDS(on)下可以实现更多的功率输出。设备在相同功率下也能以较低的温度运行,因此需要较少的散热,从而降低了系统成本。第二,更低的工作温度也会带来更高的可靠性和更长的寿命。最后,如果应用需要更低的成本,设计者可以使用具有较高RDS(on)的低成本产品来实现所需的功率输出。
采用新型封装的 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装产品将于2024年6月11日至13日在德国纽伦堡举行的 PCIM 展览上首次公开展示。CGD的展位号为7-643。欢迎用户莅临参观和了解这些产品。