中国闪存突破!“廉价”QLC性能追平TLC

2024-03-29 11:42:06 来源:IT之家、DIGITIMES
3 月 28 日消息,据台媒 DIGITIMES 报道,长江存储在中国闪存市场峰会 CFMS 2024 上表示采用第三代 Xtacking 技术的 X3-6070 QLC 闪存已实现 4000 次 P / E 的擦写寿命。

注:不同于质保寿命,消费级原厂 TLC 固态硬盘在测试中普遍至少拥有 3000 次 P / E 级别的擦写寿命。

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▲ 图源中国闪存市场峰会 CFMS 官方,下同

长江存储 CTO 霍宗亮表示,目前 NAND 闪存行业已度过了最艰难的 2023 年,今年将进入上升期,预计 2023~2027 年的闪存需求总量复合增长率可达 21%,单台设备平均容量的复合增长率为 20%。

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在这个上升周期中,存储市场面临的三大新挑战是每 Gb 成本快速降低、读写性能加速提升和满足多样化需求,客户期待的是以同样的价格获得更高密度的存储。

而在密度提升方面,3D NAND 的堆叠层数提升成为业界新问题,因此有必要推动 QLC NAND 的应用。根据市场预测,到 2027 年 QLC 占比有望超过 40%,大幅高于去年的 13%。

长江存储表示,其采用第三代 Xtacking 技术的 X3-6070 QLC 闪存相较上代产品 IO 速度提升 50%、存储密度提高 70%、擦写寿命达 4000 次 P / E。

这意味着长江存储的 QLC 技术已开发成熟,可向企业级存储、移动端等领域扩展。忆恒创源就在此次峰会上展示了基于长存 QLC 闪存的 PBlaze7 7340 系列数据中心级固态硬盘。

在技术细节方面,Xtacking 结构将 CMOS 电路同闪存阵列分离的设计对操作算法带来了更大灵活性,从而提升了 QLC 的可靠性。此外第三代 Xtacking 技术可实现更灵活的电压调制,读取窗口裕度得到了提升。

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此外,长江存储还在现场展示了 PC41Q 消费级 QLC 固态硬盘。PC41Q 顺序读写带宽达 5500MB/s,长江存储宣称该款固态硬盘的数据保持能力和可靠性媲美 TLC 固态硬盘,实现了 30℃ 下 1 年的数据保持和 200 万小时的 MTBF 时间。

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科普:QLC和TLC Nand 闪存

QLC和TLC是两种不同的闪存存储技术。虽然它们都是基于NAND闪存的,但它们在存储密度、寿命、价格等方面有所不同。

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QLC是四位存储单元技术,也就是说每个存储单元可以存储4个比特,而TLC是三位存储单元技术,每个存储单元可以存储3个比特。由于QLC可以存储更多的比特,所以它的存储密度更高,价格也更低。但是,QLC的寿命比TLC更短,因为它的写入次数更少。


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