东哲郎表示，Rapidus 北海道建厂计划一定会成功，并且大约在 2027~2028 年期间，相关制程技术将发生改变。因为，新兴的晶体管架构GAA （全环绕栅极排列） 将取代目前主流的FinFET架构，推动半导体制造的进步，可以生产2纳米及以下先进制程的芯片。也就是说，日本将借助这一半导体架构转型之际实现弯道超车，追上台积电。
东哲郎强调，半导体市场正朝着具有特定功能的产品，而不是以通用型芯片的方向来发展，Rapidus希望能够在这个过渡期抢进市场当中，并能够得到日本半导体设备和化学品相关公司的全力支持。东哲郎指出，日本必须不惜一切代价创造一个能够诞生尖端技术的平台，这将成为日本年轻一代的新希望之光。
当前，日本政府正在向Raapidus提供数千亿日元的资金援助，以使得能在日本北海道千岁市设立先进制程晶圆厂。该晶圆厂预计研发及生产2纳米及其以下先进制程，预计最快将在2025年建立第一条原型产线。同时该公司也与IBM、ASML等开展深度合作，Rapidus也已经派遣100名工程师到IBM学习2纳米芯片生产全环栅（GAA）电晶体技术。
