Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准

2023-11-30 08:53:41 来源:EETOP

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高,可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

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Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示:“Nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新,推动市场涌现更多宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件,这些器件的多个参数性能均超越同类产品,例如高RDS(on)、良好的温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比,能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开篇之作。毫无疑问,在未来几年里,我们将共同推动SiC器件性能的发展。”

 

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示:“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET,这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识,我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”

 

RDS(on)会影响传导功率损耗,是SiC MOSFET的关键性能参数。Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素,新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术,实现了业界领先的温度稳定性,在25℃至175℃的工作温度范围内,RDS(on)的标称值仅增加38%。

 

Nexperia SiC MOSFET的栅极总电荷(QG)非常低,由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外,Nexperia通过平衡栅极电荷,使QGD与QGS比率非常低,这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。  

 

除了正温度系数外,Nexperia的SiC MOSFET的器件间阈值电压VGS(th)也超低,这使得器件并联工作时,在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外,较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率,同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

 

Nexperia未来还计划推出车规级MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已投入大批量生产。请联系Nexperia销售代表获取全套SiC MOSFET样品。


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