全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保持同样低的本底噪声水平的同时，显著增强信号，而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。
X-FAB通过推出这一最新版本的产品，成功丰富了其SPAD产品的选择范围，提升了解决众多视近红外功能至关重要的新兴应用能力。这些新兴应用涵盖了飞行时间传感、车辆LiDAR成像、生物光子学和FLIM研究工作，以及医疗领域各种不同的相关活动。新的单光子雪崩二极管（SPAD）器件可使得整个近红外（NIR）波段的灵敏度均得到加强，关键波长850纳米和905纳米的灵敏度分别提高40%和35%。
由于紫外线和可见光已被抑制，使用新型SPAD器件将降低可见光过滤的复杂度。因此，滤波器的设计将更加简单，所涉及的部件也会减少。此外，由于新的SPAD具备与前一代器件完全相同的基底面尺寸，使得客户在进行产品更迭这一过程中更为便捷：客户仅需将现有设计更换新器件，便能够获得显著的性能优势。
X-FAB为其近红外SPAD版本编制了全面的PDK，其中包括广泛的文档与应用说明。光学和电气仿真模型将为工程师带来所需的额外设计支持，让他们能够在短时间内将这些器件集成至电路中。
正如X-FAB传感器产品营销经理Heming Wei所言：“我们的SPAD技术已经获得了非常积极的市场反馈，得到了众多客户的青睐。得益于工艺层面的持续创新，我们现已能够开发出一套解决方案，为我们在汽车、医疗保健和生命科学等各种近红外应用领域的业务发展推波助澜。”
全新近红外增强型SPAD现已上市。工程师可即刻开始使用新器件进行设计。
