三星减产DRAM原因曝光

2023-04-15 20:41:43 来源:EETOP
据韩媒报道,三星电子(Samsung Electronics Co.)降低DRAM成本的速度变慢,可能是公司决定减产的主因。

韩国媒体The Elec 14日报道,消息显示,三星导入更先进制程以降低DRAM成本的速度趋缓,恐怕是该公司不得不跟进美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)减产的原因。倘若引入先进制程、降低成本的速度能快一些,三星或许就不必减产,还可趁着产业景气衰退之际扩大市占。

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报道,三星抢在对手之前采用极紫外光(EUV)微影设备,可能也是重创利润的原因。EUV制程昂贵,目前还无法发挥最大潜能。不过,三星提早采用EUV,未来提升生产力的速率也会比对手快。
对于10纳米范围的DRAM,存储器厂商一般不会揭露精确节点,而是称之为1x (第一代)、1y (第二代)、1z (第三代)米。其中,1z大约介于13~11纳米。业者也于最近发表第四代的1a米。
根据集邦科技统计,去(2022)年第四季美光的1a米DRAM市占率为45.9%、SK海力士为20.8%、三星为5.7%。同期间内,1z米DRAM市占排名则依序为三星(46.1%)、SK海力士(32.3%)、美光(29.9%)。美光制造的1a DRAM比竞争对手多,主因该公司并未采用EUV、而是使用多重图案化(multiple patterning;MP)技术。美光预定2024年才会在1c纳米使用EUV
The Elec引述消息人士指出,三星过去都能抢在对手前克服挑战、维系领导地位,如今却频频提及EUV和摩尔定律已死,这些其实都是「借口」。部分内部人甚至说,过去五年三星在研发新技术方面有点懈怠;该公司刚开始制造双栈(double-stack) NAND型快闪存储器(V7)时也遇到困难。
三星电子4月7日发表2023年第一季初步财报时曾宣布大幅削减存储器产量,理由是全球需求低迷,客户因库存充足而放慢采购。
SK海力士怨产业陷囚徒困境
SK海力士副董事长Park Jung-ho 3月29日在股东大会上宣布下砍营业支出计画,为十年以来头一遭。他说,该公司过去曾积极投资扩产,但现在准备以更具弹性的方式调整产能策略。他表示,「我们去年的资本支出多达19兆韩圜(相当于146亿美元),今年准备删减一半以上。」
Park以囚徒困境(prisoner's dilemma,指个人的选择不符团体最佳利益)来形容DRAM产业持续衰退的现象。他说,「即便我们一再重申不跟进,客户参与赛局的方式依旧犹如囚徒困境。每当产业景气下滑,过剩的晶片供给终将导致价格跌势恶化。」


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