据韩媒报道，三星电子(Samsung Electronics Co.)降低DRAM成本的速度变慢，可能是公司决定减产的主因。韩国媒体The Elec 14日报道，消息显示，三星导入更先进制程以降低DRAM成本的速度趋缓，恐怕是该公司不得不跟进美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)减产的原因。倘若引入先进制程、降低成本的速度能快一些，三星或许就不必减产，还可趁着产业景气衰退之际扩大市占。
据报道，三星抢在对手之前采用极紫外光(EUV)微影设备，可能也是重创利润的原因。EUV制程昂贵，目前还无法发挥最大潜能。不过，三星提早采用EUV，未来提升生产力的速率也会比对手快。对于10纳米范围的DRAM，存储器厂商一般不会揭露精确节点，而是称之为1x (第一代)、1y (第二代)、1z (第三代)纳米。其中，1z大约介于13~11纳米。业者也于最近发表第四代的1a纳米。根据集邦科技统计，去(2022)年第四季美光的1a纳米DRAM市占率为45.9%、SK海力士为20.8%、三星为5.7%。同期间内，1z纳米DRAM市占排名则依序为三星(46.1%)、SK海力士(32.3%)、美光(29.9%)。美光制造的1a DRAM比竞争对手多，主因该公司并未采用EUV、而是使用多重图案化(multiple patterning；MP)技术。美光预定2024年才会在1c纳米使用EUV。The Elec引述消息人士指出，三星过去都能抢在对手前克服挑战、维系领导地位，如今却频频提及EUV和摩尔定律已死，这些其实都是「借口」。部分内部人甚至说，过去五年三星在研发新技术方面有点懈怠；该公司刚开始制造双栈(double-stack) NAND型快闪存储器(V7)时也遇到困难。三星电子4月7日发表2023年第一季初步财报时曾宣布大幅削减存储器产量，理由是全球需求低迷，客户因库存充足而放慢采购。SK海力士副董事长Park Jung-ho 3月29日在股东大会上宣布下砍营业支出计画，为十年以来头一遭。他说，该公司过去曾积极投资扩产，但现在准备以更具弹性的方式调整产能策略。他表示，「我们去年的资本支出多达19兆韩圜(相当于146亿美元)，今年准备删减一半以上。」Park以囚徒困境(prisoner's dilemma，指个人的选择不符团体最佳利益)来形容DRAM产业持续衰退的现象。他说，「即便我们一再重申不跟进，客户参与赛局的方式依旧犹如囚徒困境。每当产业景气下滑，过剩的晶片供给终将导致价格跌势恶化。」
