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e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管, 助力电动车、5G 和物联网应用降低功率损耗
2020-09-18 15:09:55
来源:
e络盟
全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世
半导体
最新系列功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。该创新系列GaN FET外形尺寸小,可实现高功率密度及高效率功率转换,能够以较低的成本开发出更高效系统,同时还可助力电动车、
5G
通信、
物联网
等应用改进
电源
性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求,实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。
GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限,可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。在电动车领域,GaN技术可直接降低功率损耗,从而为
汽车
实现更长的行驶里程。同时,更高效的功率转换还能降低使用冷却系统进行散热的需求,这有利于减轻车身重量并降低系统复杂性,继而可实现更长的行驶里程,或是使用更小的电池达到相同的里程。 功率GaN FET也非常适用于数据中心、电信基础设施及工业领域应用。
GaN FET系列可为各种方案应用提供卓越性能,包括AC-DC图腾柱PFC硬开关应用、LLC移相全桥软开关应用(谐振或固定频率)、所有DC-AC逆变器拓扑以及使用双向开关的AC-AC矩阵式转换器等。
主要优势包括:
栅极驱动简单、低 RDS(on)及快速开关
卓越的体二极管(低Vf)、低反向恢复电荷 Qrr
坚固耐用
低动态 RDS(on)
开关性能稳定
栅极驱动抗干扰性强 (Vth ~ 4 V)
Farnell
及
e
络盟全球
半导体
与单板计算机总监
Lee Turner
表示:
“安世
半导体
以其丰富多样的创新
半导体
产品而享誉全球。我们很高兴能够引入安世
半导体
的功率GaN FET系列,以便进一步提升对客户的支持服务。GaN是高效
电源
设计领域的前沿技术,此次引入的这些新产品将是未来创新
物联网
、
汽车
和通信设计方案的关键组成部分。”
为了支持寻求采用GaN FET技术的客户,Farnell和e络盟社区共同举办了一次网络研讨会,邀请了来自安世
半导体
的GaN国际产品营销工程师Ilian Bonov“深入剖析”这项新技术。网络研讨会主题为 “采用安世
半导体
GaN FET设计高效、稳定的工业
电源
”,全面介绍了安世
半导体
cascode技术的特点及其在软硬开关拓扑中的应用优势,并分享了一项4kW图腾柱 PFC案例研究。观看本次研讨会视频,请访问:
https://www.element14.com/community/events/5572/l/designing-high-efficiency-and-robust-industrial-power-supplies-with-nexperia-gan-fets。
客户可通过Farnell(欧洲、中东和非洲地区)、Newark(北美地区) 及e络盟(亚太区)购买安世
半导体
GaN FET系列产品。
关键词:
e络盟
安世半导体
氮化镓
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