华润上华“跑道形NLDMOS 晶体管及其制作方法”专利技术填补国内空白

2015-01-19 22:07:30 本站原创

点击关注->创芯网公众号，后台告知EETOP论坛用户名，奖励200信元

华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（“华润上华”）自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术，近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白，开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术，达到国际领先水平。目前，该项专利已应用于华润上华晶圆生产线，累计产出已达24万片，大幅提升了企业营收能力，两年内为华润上华新增直接销售额3.8亿元，新增利润4500万元。

该项专利提供一种提高跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法，采用圆环形结构在N型漂移区形成P型同心环，通过调整P型同心环的半径控制P型杂质总量，从而与N型杂质达到电荷平衡，提高跑道形器件结构弯道部分耐压的方式。传统方式是在弯道部分形成简单的PN结，PN结的反向耐压即为器件弯道部分的耐压，这种方式虽然简单，但却使弯道部分不存在沟道，从而浪费了芯片面积。采用该技术不仅可在跑道形器件结构的弯道部分提高耐压，而且可以在弯道部分保留沟道，使器件电流变大，达到有效利用芯片面积，增大电流，降低导通电阻的目的。

围绕上述主专利，华润上华还分别在国内外申请了41项周边专利，构成专利组合，对华润上华所经营的特定领域进行系统控制和保护，使华润上华获得持续的竞争优势。目前，华润上华在国内单芯片LED照明驱动电源市场中的市场占有率达到100%，有国内外知名客户21家，部分产品已成功被大众、奥迪等汽车厂商使用。

EETOP 官方微信
创芯大讲堂在线教育
半导体创芯网快讯

上一篇：LED／照明展区之Show Time
下一篇：IDT公司跨越低功耗PCIe Gen3缓冲器300

全部评论

最新资讯

最热资讯