富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。

FRAM （Ferroelectric Random Access Memory 铁电随机存储器）将SRAM 的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3个型号：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度级。3个芯片的工作电压范围在3.0 ～ 3.6V，读写周期为100亿次，数据保存在55°C的条件下可达10年，且其工作频率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM产品在写处理时无需电压增压器，非常适合低功率应用。该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装，完全兼容E2PROM芯片。

FRAM独立存储芯片可广泛用于计量、工厂自动化应用以及需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。对客户来说，FRAM不仅可以取代所有使用电池支持的解决方案，同时也是一款绿色环保的产品。除 SPI FRAM家族之外，富士通半导体还提供带I²C和并行口的FRAM独立芯片，密度级从16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通还计划进一步扩展FRAM组合以满足市场需求。凭借领先的技术开发和完善的制造工艺，富士通半导体不断优化产品设计，并加强与工厂间的密切合作，为向市场稳定地提供高质量产品打下了基础。

产品型号	存储器容量	电源电压	工作温度	写/擦次数	数据保持	封装
MB85RS256A	256K bit	3.0—3.6v	-40—85	100亿次	10年	SOP-8
MB85RS128A	128K bit	3.0—3.6v	-40—85	100亿次	10年	SOP-8
MB85RS64A	64K bit	3.0—3.6v	-40—85	100亿次	10年	SOP-8