高速先生成员--姜杰 关于DDR的案例,高速先生已经分享过很多期的文章了,有通过修改主控芯片的驱动解决问题的,有通过修改PCB走线的拓扑来解决问题的,也有通过调节端接电阻来解决问题的,相对于下面即将登场的解决方法而言,上述的方式都突然显得很复杂了。不信?那我们一起往下看呗! 又是一个睡眼朦胧的下午,雷 ...
MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM具备高速读写、低功耗、高密度、耐擦写、宽温区和抗辐照等优势。 Everspin型号 MR0A16A 容量为1Mbit的MRAM存储芯片,组织为16位的65536个字。提供与SRAM兼容的35ns读/写时 ...
赛普拉斯 CY7C1041GN是一款高性能CMOS异步快速快速 SRAM ,由256K字16位组成。通过断言芯片使能(CE)和写入使能(WE)输入LOW来执行数据写入,同时在I/O0到I/O15上提供数据,在A0到A17引脚上提供地址。字节高使能(BHE)和字节低使能(BLE)将控制写入操作输入到指定存储器位置的上字节和下字节。BHE ...
MRAM是一种新型的非易失性存储器技术,与传统的存储器技术相比,MRAM具有更快的读写速度、更低的功耗、更高的可靠性和更长的寿命。 S3A1604 是韩国NETSOL MRAM一款容量为16Mbint的非易失性存储芯片。适合用于多功能打印机存储芯片,该产品具有SPI总线接口、XIP性能和基于硬件 ...
高速先生成员--孙小兵 我们先来了解一下容性负载和感性负载对链路阻抗的影响。仿真链路模型如下图所示。链路中有三段50Ω的理想传输线,第一段和第二段之间增加一个电容模拟容性负载,第二段和第三段之间增加一个电感模拟感性负载,链路末端是一个1KΩ的电阻相当于开路。利用TDR仿真工具看整个链路的阻抗情况。 这 ...
一博高速先生成员:黄刚 作为高速信号传输的重要的指标之一,损耗,无论是对硬件工程师,设计工程师还是我们SI工程师来说,都会是非常的关注。而对于像背板传输这种长距离的走线系统或是像芯片测试板要求损耗极小的情况,传输线的损耗在总的系统损耗里面一定是占到一个大头的位置。尤其是在板材和走线长度已经定下来的情 ...
NetsolSerial MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐久性。它是最理想的存储器,需要应用最少数量的引脚来快速存储和检索数据和程序。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,性能优异,不易失。 S3A1604是一种 NETSOL MRAM 存储 ...
一博高速先生成员:黄刚 因为本期要讲的是插损和回损的关系,因此本文的开头,我们还是首先回顾下S参数的概念。首先我们需要知道S参数其实是个黑匣子,什么是黑匣子呢,那就是我们其实不需要知道它包含了哪些链路结构,不管是多长的走线,里面有多少个过孔,或者说是经过了多少个连接器,我们只关心这个未知 ...
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