Process Antenna Effect,PAE----------------------------- 等离子刻蚀时,暴露在离子束下的金属或poly会积累电荷(就像一根天线一样,收集电荷)而产生电势,积累的电荷与暴露在离子束下金属面积成正比;如果积累了足够电荷的一根长金属线或POLY直接连接到MOS管的GATE上时,就会放电,栅氧会被击穿,导致芯 ...
有时候直观的感觉是错的,比如对运放反馈电阻的噪声分析: 我的错误直觉告诉我,当阻值相同时,rin和rfb对输出的噪声贡献不一样,rf在loop内,而rin在loop外 实际上两者的噪声贡献是相同的,因为分析的是输出噪声,所有在主通路(这里指运放——运放差分对和输出之间的高增益通路称为主通路)之外的噪声都要在运放差分对 ...
图示: MOM就是finger插指电容,即利用同层metal边沿之间的C,为了省面积,可以多层metal叠加; MIM是利用上下两层metal之间的C,即极板电容, 下极板为Mn,上极板为Mn+1 ,因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远,所以C并不大。MIM会引入一层光罩(MCT之类),这一层做在Mn上面 ...
wpe是指poly和aa相交的区域的上边沿(即管子w长的俩边)到肼边沿的距离对管子的影响,因为不同类型的离子会对背栅产生影响,所以放到中间是最好的(即有无poly接口俩面留的距离是一样的),180工艺wpe效应是3um足以。 lod是指poly和aa相交的区域的左右边沿(即管子L长的俩边)到AA(s、d)边的距离,一般是指管子用finger的 ...
图示: P_diode或N_diode: diode是一种常用的ESD防护器件,用来泄放ESD大电流。不同的电源域之间也可以用B2Bdiode来隔离噪声。
电路图示: power clamp由触发电路和bigmos共同组成,在pin to pin和VDD to VSS模式下,之间的ESD电流通过power clamp来泄放; 当电路受到ESD冲击时钳住电源电压,保护内部电路。
太空应用对电子系统提出了重大挑战,因为它们一旦发射就必须应对无数的环境因素。这些因素包括极端温度、辐射、冲击和振动——电子系统必须承受所有这些因素才能满足严格的可靠性标准。为了应对这些挑战,专为空间应用设计的先进处理器变得至关重要。在这篇文章中,我们将探索一款专为太空任务量身定制的尖端 RISC-V 内核 ...
我们在平时的项目中通常都会遇到mos 或res 等器件的parameter 值不符合预期。比方说 1. 在做模拟模块,默认调出来的mos 的DFM都是min的,而我们需要的是DFM+Analog. 2. 在做logic模块,想让默认调进了的mos 的dummy poly个数都是一个,而且不需要放到diff上,这样能尽可能的减小mos的面积。 等等这样需要重新 ...
Modifying Lists The following functions operate on variables without changing their value or creating new variables. 以下函数在操作变量时不会改变它们的值或创建新的变量。 Coordinates An xy coordinate is represented by a two-element list. The colon (:) binary operator builds a coordinat ...
对于综合(schreier'tool 是在收敛域内取最优值,最优值基于给定的OBG,遍历最优的SNR对应的ntf)出的ntf如何做直观分析?如何建模? 这在《understanding》这本书有很详细的描述。 (前三条是我总结的熟悉ntf特征的方法) 首先熟悉z平面及与s平面的对应关系 如w-0 对应z=1;w-fs*pi对应z=-1,其余值均 ...
Riching
cj_181888888
恒天伟业
limubai
iandphp
axpro
hebut_wolf
teresa_xie
speedzheng23
杭州加速科技
wl1314
hirain123
metotj
小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )
GMT+8, 2024-5-29 04:07 , Processed in 0.027922 second(s), 3 queries , Gzip On, Redis On.