阻变存储器( RRAM )存取操作方式为:先上电施加正向电压进行扫描,使得存储器进入 Forming 状态,这一过程称为 Forming 过程。然后施加反向电压 V Reset 使之进入 HRS 状态。再施加正向电压 V se t 使之进入 LRS 状态。这是双极性施压。还有单极性施压。全施加正向电压。对于单极性的存储器,这样做的优 ...
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