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格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台
2015-07-15 20:23:37
来源:
未知
2015年7月14日格罗方德
半导体
(GLOBALFOUNDRIES)今日发布一种全新的
半导体
工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本则与28nm平面晶体管工艺相当,为迅速发展的移动、
物联网
、
RF
连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维
FinFet晶体管
的终极性能有要求,但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工艺,为成本敏感型应用提供了一条最佳途径。凭借业内最低的0.4伏工作电压,该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的
芯片
尺寸比28nm工艺小20%,掩膜少10%,而且其浸没式光刻层比foundry FinFET工艺少近50%,为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了最佳组合点。
格罗方德
半导体
首席执行官Sanjay Jha表示:“22FDX平台能够让我们的客户在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的差异化产品。该平台在业内率先提供针对晶体管特性的实时系统软件控制功能:系统设计人员能够动态平衡功耗、性能和漏电。此外,针对联网应用中的
射频
和模拟集成,该平台可提供最佳的扩展性和最高的能效。”
22FDX采用了格罗方德公司位于德国德累斯顿的最先进的300mm生产线上的量产28nm平台。该工艺建立在近20年对欧洲最大的
半导体
晶圆厂的持续投资之上,掀开了“萨克森硅谷”发展史上的一个新篇章。格罗方德
半导体
在德累斯顿为22FDX平台投入了2.5亿美元,用于技术研发和启动22FDX的生产,从而将公司自2009年以来对Fab 1的总投资增至超过50亿美元。公司还将加大投资提高生产力以满足客户需求。格罗方德
半导体
正与多家欧洲领先的研发和行业机构开展合作,以便为22FDX建设一个强大的生态系统,缩短产品上市时间,并为其制定一个全面的路线图。
格罗方德
半导体
的22FDX平台实现了用软件控制晶体管特性,能够实时平衡静态功耗、动态功耗和性能。22FDX平台由一系列面向不同应用的差异化产品构成:
22FD-ulp:对于主流低成本智能手机市场,基础版超低功耗产品提供了FinFET的替代方案。与0.9伏的28nm HKMG相比,22FX-ulp通过采用体偏压技术,将功耗效率提升70%以上,提供了可媲美FinFET的功耗和性能。对于某些
物联网
和消费类应用,该平台在优化后可工作于0.4V的电压,在功耗效率上比28nm HKMG提升了90%。
22FD-uhp:对于集成模拟的联网应用,22FD-uhp产品在优化后,可实现与FinFET相同的超高性能,同时最大程度减少能耗。22FD-uhp定制化功能包括正向体偏压、应用优化的金属堆栈,以及支持0.95V的加压。
22FD-ull:面向可穿戴和
物联网
市场的超低漏电产品,具备与22FX-ulp相同的低功耗能力,同时又将漏电电流降至1pa/um。较低的运行功耗、超低漏电和灵活的体偏压技术,这一组合使能耗大幅减少,从而为新型电池供电型可穿戴设备创造了条件。
22FD-rfa:
射频
模拟产品,可提高数据速率,减省50%的功耗,并降低系统成本,以满足LTE-A蜂窝收发器、高阶MIMO WiFi整合型
芯片
、毫米波雷达等大容量
RF
应用的严格要求。
RF
活动设备后门功能可减少或消除
RF
信号路径上的复杂补偿电路,让
RF
设计人员能够更好地发挥设备内在的Ft性能。
格罗方德
半导体
一直与主要客户和生态系统伙伴开展密切合作,研发更好的设计方法和一整套基本和复杂的知识产权(IP)。公司现提供设计入门套件和早期版本的工艺设计套件(PDK),并将于2016下半年启动风险生产。
客户引言
STMicroelectronics 首席运营官Jean-Marc Chery表示:“格罗方德
半导体
的FDX平台采用了一种先进的FD-SOI晶体管结构,该结构是双方长期合作的结晶。FD-SOI确认并增强了这种工艺的强劲发展势头,拓展了生态系统,并确保了一个大批量供货来源。FD-SOI可满足
物联网
设备和其它功耗敏感型设备保持永远在线和实现低功耗的理想工艺。”
Freescale 公司MCU事业群应用
处理器
与先进技术副总裁Ron Martino表示:“Freescale的新一代i.MX 7系列应用
处理器
利用FD-SOI晶体管结构实现了各种领先业界、面向
汽车
、工业和消费应用的超低功耗、按需提供性能的解决方案。格罗方德
半导体
的 22FDX平台让FD-SOI的量产能力突破了28nm,并一直在降低成本、提高性能和优化功耗。”
ARM
实体IP设计事业部总经理Will Abbey表示:“移动设备和
物联网
设备互联的世界,依赖于在性能、功耗和成本上得到优化的SoC。我们正与格罗方德
半导体
密切合作,提供用户所需的IP生态系统,让顾客从22FDX技术的独特价值中真正受益。”
VeriSilicon Holdings Co. Ltd.总裁兼首席执行官Wayne Dai表示:“VeriSilicon拥有设计采用FD-SOI工艺的
物联网
SoC的经验,并且展示了FD-SOI在打造超低功耗和低能耗应用方面的优势。我们期待与格罗方德
半导体
围绕其22FDX平台开展合作,推出各种面向智能手机、智能家庭、智能
汽车
和中国市场的功耗、性能和成本优化设计。”
Imagination Technologies营销执行副总裁Tony King-Smith表示:“可穿戴、
物联网
、移动和消费等新一代联网设备,需要在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的
半导体
解决方案。格罗方德
半导体
全新的22FDX工艺,结合Imagination广泛的先进IP组合——包括PowerVR多媒体方案、MIPS
CPU
和Ensigma通信解决方案等,将能有效协助彼此共同的客户推出更多差异化的创新产品。”
IBS, Inc.创始人兼首席执行官Handel Jones表示:“FD-SOI工艺可为可穿戴、消费、多媒体、
汽车
和其它应用提供一个多节点、低成本的路线图。格罗方德
半导体
的22FDX将最好的低功耗FD-SOI工艺集成到一个低成本、需求有望强劲增长的平台上。”
CEA-Leti首席执行官Marie NoëlleSemeria表示:“FD-SOI可大幅提升性能,降低功耗,同时最大程度减少对现有设计及制造方法的调整。通过合作,我们将能采用成熟、便捷的设计及制造技术,成功生产出格罗方德
半导体
实现技术互联的22FDX平台。”
Soitec首席执行官Paul Boudre表示:“格罗方德
半导体
发布的这条新闻是打造新一代低功耗电子设备的一个重要里程碑。我们很高兴成为格罗方德
半导体
的战略合作伙伴。我们的超薄SOI衬底已为22FDX投入量产做好一切准备。”
关键词:
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