长江存储、三星、SK海力士、美光、铠侠 2xx层3D NAND垂直单元效率比较

2024-07-04 11:44:34 techinsights

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当谈到3D NAND单元效率时,垂直单元效率(VCE)在NAND单元工艺、设计、集成和器件操作中尤为重要。随着堆叠总门数的增加,单元的VC孔高度也随之增加。为了减少VC高度和长宽比,其中一种方法是通过减少虚拟门、通道门和选择门的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以定义为总门数中有效单元的百分比,这意味着它可以通过有效WL数除以集成总门数来计算。

例如,一个NAND串由有效WL、通道WL(虚拟WL)和选择器(源端和漏端)组成。如果它有96个有效WL和115个总门数,那么垂直单元效率为83.5%,可以通过96除以115得到。垂直单元效率越高,对于工艺集成、较低的长宽比和较低的吞吐量越有利。

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3D NAND垂直单元效率趋势:三星、SK hynix/Solidigm、美光、铠侠/西数、长江存储

  • 三星在每一代产品中都有最高的VCE。例如,128L的单层结构VCE为94.1%,176L的COP V-NAND为92.1%,236L的第二代COP V-NAND为94.8%。

  • SK hynix 238L有259个总门数,VCE为91.9%,仍低于三星的236L。

  • 长江存储232L Xtacking3的VCE为91.7%,位居第三。

  • 美光232L为91%。

  • 铠侠162L的VCE稍低,为88%。


关键词: 长江存储 3DNand YMTC

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