东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
2023-05-19 08:57:52 EETOP东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。
SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。
东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。
Ø 应用
- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。
Ø 特性
- 业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
- 业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
- 共漏极结构，可方便地用于电池保护电路
Ø 主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
器件型号 | SSM14N956L | SSM10N954L[2] | ||
配置 | N沟道共漏极 | |||
绝对最大额定值 | 源极-源极电压VSSS（V） | 12 | ||
栅极-源极电压VGSS（V） | ±8 | |||
源极电流（DC）IS（A） | 20.0 | 13.5 | ||
电气特性 | 栅源漏电流IGSS 最大值（μA） | @VGS＝±8V | ±1 | |
源极-源极导通电阻RSS(ON) 典型值（mΩ） | @VGS＝4.5V | 1.00 | 2.1 | |
@VGS＝3.8V | 1.10 | 2.2 | ||
@VGS＝3.1V | 1.25 | 2.4 | ||
@VGS＝2.5V | 1.60 | 3.1 | ||
封装 | 名称 | TCSPED-302701 | TCSPAC-153001 | |
尺寸典型值（mm） | 2.74×3， 厚度＝0.085 | 1.49×2.98， 厚度＝0.11 | ||
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