东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备

2023-05-19 08:57:52 来源:EETOP

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。

 

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锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量,以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性,同时要求MOSFET小巧纤薄,且具有更低的导通电阻。

 

SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺,已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗,而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外,新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。

 

东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。

 

Ø 应用

- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备,包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。

 

Ø 特性

- 业界领先的[1]低导通电阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V

- 业界领先的[1]低栅源漏电流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V

- 小型化超薄TCSPED-302701封装:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)

- 共漏极结构,可方便地用于电池保护电路

 

Ø 主要规格

 

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

配置

N沟道共漏极

绝对最大额定值

源极-源极电压VSSS(V)

12

栅极-源极电压VGSS(V)

±8

源极电流(DC)IS(A)

20.0

13.5

电气特性

栅源漏电流IGSS

  最大值(μA)

@VGS=±8V


±1

源极-源极导通电阻RSS(ON)

  典型值(mΩ)

@VGS=4.5V

1.00

2.1

@VGS=3.8V

1.10

2.2

@VGS=3.1V

1.25

2.4

@VGS=2.5V

1.60

3.1

封装

名称

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

尺寸典型值(mm)

2.74×3,

厚度=0.085

1.49×2.98,

厚度=0.11

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