东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性,有助于提高电源效率

2023-03-31 08:08:36 来源:EETOP

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。

 

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TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时,与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复[5]时间缩短约44%,上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6],降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。

 

该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance(N)封装。

 

此外,东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型

 

东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外,新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。

 

东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线,以降低功率损耗、提高电源效率,并助力改善设备效率。

 

Ø 应用

- 工业设备电源,如用于数据中心和通信基站的电源

- 开关电源(高效率DC-DC转换器等)

 

Ø 特性

- 业界领先的[2]低导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)

- 业界领先的[2]低反向恢复电荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

- 业界领先的[2]快速反向恢复时间:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

- 高额定结温:Tch(最大值)=175℃

 

 

Ø 主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号

TPH9R00CQ5

绝对最大

额定值

漏极-源极电压VDSS(V)

150

漏极电流(DC)ID(A)

TC=25℃

64

结温Tch(℃)

175

电气特性

漏极-源极导通电阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

VGS=10V

9.0

VGS=8V

11.0

总栅极电荷Qg典型值(nC)

44

栅极开关电荷QSW典型值(nC)

11.7

输出电荷Qoss典型值(nC)

87

输入电容Ciss典型值(pF)

3500

反向恢复时间trr典型值(ns)

-dIDR/dt=100A/μs

40

反向恢复电荷Qrr典型值(nC)

34

封装

名称

SOP Advance(N)

尺寸典型值(mm)

4.9×6.1×1.0

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[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺,并具有相同的电压和导通电阻。

[5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。

[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路,则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。


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