华为与中科院共研 新3D DRAM芯片有望突破存储关键根技术

2022-05-25 08:41:47 来源:快科技

近日,有日本媒体表示,华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术,进行各种有关内存的演示。

据外媒透露,华为这次发布的3D DRAM 技术,是基于铟镓锌氧 IGZO-FET材料的 CAA 构型晶体管 3D DRAM 技术,具有出色的温度稳定性和可靠性。

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在华为此前发布的存储器相关文章 ——《华为麒麟带你一图看懂存储器》中,华为表示随着芯片尺寸的微缩,DRAM 工艺微缩将越来越困难,“摩尔定律”走向极限,因此各大厂商在研究 3D DRAM 作为解决方案来延续 DRAM 的使用。

而在 IEDM 2021 上,中科院微电子所团队联合华为海思,提出了新型垂直环形沟道器件结构(CAA)。据悉,该结构减小了器件面积,支持多层堆叠。其通过将上下两个 CAA 器件直接相连,每个存储单元的尺寸可减小至 4F2。

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