据称世界上还没有这种类似装置，技术原理与EUV光刻机完全不同，但号称光刻精度可以达到EUV级别！根据一些专家的说法，这项工作应该在十五年前就开始了。
目前世界上仅ASML一家可以生产EUV光刻机，但由于地缘政治的原因，EUV光刻机目前对俄罗斯和中国是禁止出售的。实时上俄罗斯也一直在努力可以能够制造一种性能接近于EUV的光刻机，已突破限制。EUV光源其波长为13.5 nm 甚至更小，俄罗斯科学家独辟蹊径采用了波长更小的X 射线来做辐射源，因此光刻分辨率或许要高很多。
不过由于这是无掩模光刻机，是否意味着仅能用于特定场景的光刻？能否像EUV那样生产出超高集成度的芯片？这个还需后续进一步了解。
目前的工作方向
MIET目前开展的研究工作旨在对X射线纳米光刻技术领域的两种基本技术解决方案进行实验测试--基于MOEMS（微光机电系统）的动态掩模的生产和实验研究：(1）具有 X 射线反射系数控制的无掩模 X 射线光刻方案（2）具有 X 射线透射率控制的无掩模 X 射线光刻光刻方案
带有 X 射线反射系数控制的无掩模 X 射线光刻方案
具有 X 射线透射率控制的无掩模 X 射线光刻方案
在第二种情况下，将使用同步辐射源，即 NIIFP 的 Zelenograd 同步加速器。同步辐射是X射线的一种形式，其波长范围从几分之一埃米到红外线，这使得它可以用于X射线光刻技术。
