同时，三星电子正计划在今年上半年开始在其亚 3nm 制造工艺上批量生产先进芯片。
该公司在 2021 年的业务报告中说，由于需求预计将继续保持强劲，它正在考虑在中长期内扩大其成熟节点的产能。该公司补充说，它正在采取措施以提高其产品竞争力，并在考虑投资追加建设新的晶圆厂。
这标志着三星电子首次提出在传统节点扩大产能的可能性。三星电子近年来一直在扩大在半导体领域的投资。预计该公司今年将加大投资力度。2021 年，三星电子的设施投资达到了 48.22 万亿韩元达历史最高水平，同比增长 25.3%。
三星电子还将继续引进衍生工艺技术，通过改进旧工艺来提高性能和成本竞争力。
2021 年 10 月，该公司宣布，它将通过将基于新的鳍式场效应晶体管（FinFET）的 17nm 工艺应用于生产图像传感器和移动显示器驱动 IC（DDI）来提高生产效率，这些产品已在现有的 28nm 工艺上生产。
IT之家了解到，到目前为止，三星电子一直专注于开发先进工艺而非传统工艺。但由于由于半导体行业的繁荣和全球缺芯问题，传统工艺市场已经发展到了一个前所未有的水平，分析家们说，三星电子正在通过扩大相关投资来积极应对需求的扩张。
就台积电而言，传统节点（指 16 纳米或以上工艺）的份额在 2021 年占其收入的 50%。在先进的 10nm 或更低工艺领域，三星占全球市场的 40% 左右。但其在成熟工艺领域的份额要小得多。
三星电子计划到 2026 年确保多达 300 家代工客户，并在 2017 年的基础上将产量提高两倍。
三星已经建立了世界上第一个使用栅极环绕（GAA）技术的 3 纳米工艺，预计将在 2022 年上半年推出此工艺的芯片，而基于第三代 GAA 技术的 2 纳米工艺将在 2025 年开始量产。
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