采用 GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号,他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术,所有产品的额定电压为650V/800V,具有2kV ESD保护。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧,采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装,具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片,针对现代电源转换拓扑结构进行了优化,包括高频准谐振反激式(HFQR)、有源钳位反激式(ACF)和PFC升压,这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。