SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM

2021-10-20 11:46:31 来源:EETOP
EETOP消息,10月20日SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 


HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*,由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成,是一种高价值产品,创新性地提高了数据处理速度。
 
*HBM版本名称:HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代)

SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后,时隔仅1年零3个月开发了HBM3,巩固了该市场的主导权。
 

*HBM2E :从第二代HBM2中改进部分性能的扩展(Extended)版本

SK海力士强调,“通过此次HBM3,不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量,还大幅提高了质量水平。”

SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相比,速度提高了约78%。

与此同时,该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误,因此产品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB,SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m),相当于A4纸厚度的1/3,然后使用TSV技术垂直连接12个芯片

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