美光1α制程DRAM批量出货!不使用EUV,同样实现极高密度!

2021-06-02 12:13:39 来源:EETOP
美光在今年1月发表导入1α制程的DRAM产品,本月则已开始大量出货使用1α制程的LPDDR4xDRAM。美光亦在业界领先的数据中心平台(例如第三代AMD EPYC)完成1α制程DDR4的验证,目前两款产品皆已在包含台中A3 新厂的美光台湾先进DRAM 厂区量产中。

与其竞争对手不同的是,美光至少在几年内不打算使用极紫外 (EUV) 光刻技术。然而,由于该公司仍需要提高其存储芯片的密度并降低其每比特成本,但美光可以依靠其自身的其他创新技术来实现缩小其 DRAM 的尺寸。美光的 1α 节点 与 1Z 相比,位密度提高了 40%,功耗降低了 15%。它还提供更高的性能潜力。

美光1α制程存储器席卷市场,以先进的DRAM 技术带动创新,不管是服务器平台以数据为中心的工作负载,或消费型轻薄笔电,皆能受惠。1α 制程有助提升存储器电源效率,更长的电池续航力更让笔电携带更加便利,适用于现今居家办公和学习的环境。

美光也表示,有鉴于远距办公与教学日益普遍,美光与全球个人电脑生态系统伙伴密切合作,在个人电脑需求激增趋势下提供最新存储器技术,其中包含与台湾OEM业者宏碁(2353)携手合作,将使用1α制程的LPDDR4x和DDR4应用至宏碁系统中。

此外,美光今(2)日也宣布车用的128 GB及256 GB容量的96层NAND快闪存储器已开始送样,两者同属美光领先业界的UFS 3.1 接口NAND 新产品组合。随着车用资讯娱乐系统不断更新,现已包含高画质显示屏,并搭载应用人工智能技术(AI)的人机接口,可处理声音、手势及影像辨识。美光UFS 3.1 产品组合正可提供汽车业亟需的低延迟、高传输储存解决方案。

美光UFS 3.1 存储器读取速度比UFS 2.1 快两倍,让数据密集的车用资讯娱乐系统及先进驾驶辅助系统(ADAS)开机更快,延迟降低。此外,UFS3.1 存取效能提高50%,能符合Level 3 以上ADAS 感测器、相机以及汽车黑盒子即时终端储存(local storage)增加的需求。

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