而早在10 月7 日，台积电抢在法说会前所发布的一则新闻稿，已悄悄凸显出当前半导体大厂EUV（极紫外光刻）军备竞赛的热度。新闻稿中宣布，导入EUV 光刻机技术的7 nm增强版（N7+）制程，已于第2 季开始量产。台积电宣称，7 nm制程量产已超过1 年的情况下，N7+良率与7 nm已相当接近。台积电此举被外界解读为，是要向抢先量产EUV 但良率似乎不如预期的三星「示威」。
在法说会上宣布新增的40 亿美元资本支出，就包含采购多台单价逾1 亿美元的EUV 光刻机设备。台积电企业讯息处资深处长孙又文向《财讯》证实，「除了7 nm之外，所有先进节点如6 nm、5nm等，都将采用EUV 作为制程的一部分。但浸润式光刻机仍然是未来所有先进制程节点的重要工具。」尽管台积电在7nm以下的更先进纳米制程中，EUV 与浸润式光刻机技术将并重，但未来势必对于EUV 机台采购需求看涨。
波长新里程 突破摩尔定律
巧合的是，就在10 月15 日，全球半导体光刻设备龙头ASML于欧洲与美国那斯达克挂牌的股票，股价分别以243.2 欧元与267.54美元，双双创下历史新高纪录，今年以来的涨幅也分别高达逾76% 和71%。
为何这个来自荷兰的半导体设备大厂股价会涨翻天？答案就是：由ASML独家提供的EUV 光刻机技术，这正是台积电为持续维持技术领先，大力加码投资的新设备。
过去20 年，全球半导体厂商都仰赖当时最先进的浸润式光刻机机台，采用193 nm波长的光刻出电路图案；然而，随着芯片微缩愈来愈精细，浸润式光刻机技术已无法应付，导致摩尔定律恐难以再延续。因此台积电、英特尔、三星等半导体大厂都引颈期盼着，ASML展开研发的波长仅有13.5 nm的EUV 光刻机机台，可以突破浸润式光刻机机台在半导体制程的技术瓶颈。
然而，EUV 光刻机机台的研发难度更高，研发费用也持续升高，让ASML愈来愈吃不消，原本应该在2005 年就该量产，进度却一再延宕。为加快EUV 研发进度，2012 年，英特尔、台积电、三星展开一项创举—向他们的设备供应商ASML投入了大量资金。
当时，3 大巨头总共投资高达38.5 亿欧元，取得约23% 股份，其中英特尔拥有15%、三星取得3%、台积电则有约5% 的股份。英特尔还额外投资ASML的后续研发计划33 亿美元；三星也为研发计划投入了2.76亿欧元。
经过漫长研发，如今ASML是全球唯一可量产EUV 光刻机设备的大厂，无论三星、台积电、英特尔、中芯国际等半导体大厂，全都要靠ASML生产的EUV 光刻机设备，才能在先进纳米制程中导入EUV 光刻机技术。
随着三星、台积电的EUV 制程相继成功投产，英特尔也在加速EUV 制程进展，未来还有更多中国半导体大厂也将在EUV 制程摩拳擦掌，一场世界级的EUV 军备竞赛已如火如荼开打，角色如同「军火商」的ASML自然是最大赢家。
果然，就在10 月16 日，艾司摩尔的第3 季法说会上，总裁暨执行长PeterWennink揭露令外界为之一亮的消息，「我们在第3 季完成7台EUV 出货，其中3 台是NXE:3400C（产能更大的最新型号）。同时接到来自逻辑与存储器客户的23 台EUV 新订单，不仅创下单季最高订单金额纪录，达51.11亿欧元，也证实逻辑和存储芯片客户均积极将EUV 光刻机技术导入芯片量产。总结来说，ASML对于2019 年的整体营收目标维持不变，今年对于ASML来说仍是成长的1 年。」
订单纷至 第4 季毛利惊人
展望第4 季，Peter Wennink仍深具信心地表示，预计第4 季销售净额将达约39 亿欧元，这将创下历史新高。此外，第4 季毛利率将高达48%~49% 之间，大大高于第3 季度的43.7%。利润预期将会提高的主因来自于EUV 光刻机最新型号机台NXE:3400C，具备更高的ASP（平均销售价格）。
台积电表示：「鉴于明年5G 部署的前景更加乐观，在过去的数个月中，对7 nm与5 nm的需求已显著增加，」因此，台积电决定将2019 年全年的资本支出增加40亿美元，以满足不断增长的需求。「在新增的40 亿美元资本支出中，约15 亿美元用于7 nm产能，25 亿美元用于5 nm产能。」
10 月16 日，摩根大通出具一份报告，给予ASML的评价是优于大盘，并订定年底前目标价为240 欧元，此一目标价格是由于预估2025 年每股盈余将达18欧元，本益比13 倍，「我们提高了倍数，以反映出EUV 在市场渗透率上有更好的能见度。」若观察近期艾司摩尔的股价表现，可发现此一论点也颇获市场认同。
若以平均每两年推出一个先进纳米制程估算，以目前可预知的7 nm、6 nm、5 nm、3 nm、2 nm制程，凭借着EUV 光刻机机台，未来ASML至少有10年的好光景。特别是，随着半导体大厂军备竞赛打得更加激烈，ASML身为全球独家EUV 设备供应商，也将更展现出赢者全拿的气势。
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