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安森美半导体在APEC 2021发布 新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案
2021-06-09 07:59:20
来源:
安森美半导体
2021年6月8日—推动高能效创新的安森美
半导体
(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:
ON),发布一对1200 V完整的
碳化硅
(SiC) MOSFET 2-PACK模块,进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。
随着电动车销售不断增长,必须推出满足驾驶员需求的基础设施,以提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成行程,而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展,需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点,紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块,基于平面技术,适合18 V到20 V范围内的驱动电压,易于用负门极电压驱动。它的较大裸
芯片
与沟槽式MOSFET相比,降低了热阻,从而在相同的工作温度下降低了裸
芯片
温度。
NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构,是采用F1封装的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚,是工业应用的理想选择,且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。
新的SiC MOSFET模块是安森美
半导体
电动车充电生态系统的一部分,被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离,可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。该高电流器件(在米勒平台电压下,源电流4.0 A/灌电流6.0 A)适合高速工作,因为典型传播延迟为60 ns。
安森美
半导体
的 SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成,比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性,令能效和功率密度更高,电磁干扰 (EMI) 得以改善,并减小系统尺寸和重量。
最近发布的 650 V SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,使(RDS(on)*area) 的品质因数 (FoM) 达到同类最佳。该系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市场上采用D2PAK7L / TO247 封装的具有最低RDS(on) 的MOSFET。
1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET
芯片
尺寸小,减少了器件电容和门极电荷(Qg - 低至220 nC),从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。
在 APEC 2021 期间,安森美
半导体
将展示用于工业应用的 SiC方案,并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案。
欲注册观展,请访问http://apec-conf.org/conference/registration/。
- 完 -
更多资源及文档:
登录页:能源基础设施
视频:25 kW SiC模块电动车直流快速充电桩
电源
级
白皮书:全面解析快速直流充电
关于安森美
半导体
安森美
半导体
(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON
)致力于推动高能效电子创新,使世界更绿、更安全、包容及互联。公司已转变为客户首选的
电源
、模拟、传感器及联结方案供应商。公司卓越的产品帮助工程师解决他们在
汽车
、工业、云
电源
及
物联网
(IoT)应用中最独特的设计挑战。
安森美
半导体
运营反应敏锐、可靠的供应链及品质项目,及强大的 环境、社会、公司管治(ESG)计划。公司总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,在其主要市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的全球业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
• 请关注官方微博@安森美
半导体
关键词:
安森美半导体
碳化硅
MOSFET
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