Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布4款专为TIG焊机设计的新型半桥和单开关管IGBT功率模块---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。这四款器件采用Vishay的独家Trench PT IGBT 技术制造,集电极到发射极的电压极低,只有1.10V,关断开关能量低至11mJ,可用于输出逆变级。
今天发布的Vishay Semiconductors器件采用Trench PT IGBT结构,实现了比平面IGBT更小的尺寸,具有更高的电流密度和更低的热阻(结到外壳),在性能上丝毫没有缩水。器件的集电极到发射极的电压较低,能够实现极低的传导损耗,同时其关断开关能量比前一代器件低50%,可提高效率和长期可靠性。
半桥VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S把Trench PT IGBT与HEXFRED®和FRED Pt®防并联二极管组合在一起,采用高度极低的17mm INT-A-PAK封装和双片INT-A-PAK封装。单开关管VS-GP250SA60S采用SOT-227封装,典型杂散电感非常低,还不到5nH,通过UL file E78996的认证。
这些模块符合RoHS,工作频率为1kHz,集电极到发射极电压为600V,集电极连续电流为100A~400A。器件可以直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。
器件规格表:
产品编号 | VS-GP100TS60SFPbF | VS-GP250SA60S | VS-GP300TD60S | VS-GP400TD60S | |
IC | 100 A | 250 A | 300 A | 400 A | |
VCE(ON) | 1.16 V | 1.10 V | 1.30 V | 1.30 V | |
封装 | INT-A-PACK | SOT-227 | DIAP, 低高度 | DIAP, 低高度 | |
Eoff | 15.3 mJ | 11 mJ | 33 mJ | 45 mJ | |
电路 | 半桥 | 单开关管 | 半桥 | 半桥 | |
IGBT | Trench PT | Trench PT | Trench PT | Trench PT | |
二极管 | FRED Pt | 无 | HEXFRED | HEXFRED | |
新IGBT功率模块现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。