东芝公司（东京证券交易所：6502）今天宣布推出新一代BICS FLASH™，三维（3D）堆叠单元结构的闪存* 1。新器件是世界上第一个* 2 256千兆位（32gigabytes）48层BICS装置还部署业界领先的3位每单元（三电平单元，TLC）技术。样品供货将于9月份开始。
BICS FLASHTM是基于一个前沿48层堆叠的过程，超越了主流二维NAND闪存存储器的容量，同时提高写入/擦除可靠性耐力和升压写入速度。新256GB装置适合于各种应用，包括消费者的SSD，智能电话，平板电脑和存储卡，以及企业的SSD的数据中心。
由于原型宣布BICS FLASHTM技术在2007年6月，东芝继续朝着发展优化批量生产。为了满足在闪存市场的进一步增长，2016年及以后，东芝正在积极推动迁移到BICS FLASH™通过推出一个产品组合，强调了大容量的应用程序，如SSD。
东芝有一个长期的承诺，闪存，目前正在准备推出大规模生产BICS FLASH™的在四日市工厂，其生产基地NAND闪存新二厂。二厂将在2016年第一年上半年完成。
* 1：1结构上的硅衬底堆叠闪存单元垂直地实现比平面NAND闪存，其中，细胞是在硅衬底上形成显著密度的改进。
* 2：截至8月4日，2015年东芝的调查。
* BICS FLASH是东芝公司的商标。
