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Cree公司推出替换雷达系统行波管放大器的GaN HEMT器件
2015-05-18 21:18:23
未知
北卡罗来纳州达勒姆,美国Cree公司公司日前推出了两款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)
射频
设备被认为解决了许多雇用传统行波管雷达系统长期存在的问题是(TWT)放大器。 GaN系固态放大器在50V操作不容易看到的高电压(kV)行波管的
电源
的故障机制,从而提供更长的寿命。此外,这种固态系统提供能力接近即时的 - 没有热身,更长的检测范围,提高目标识别。
从一开始,使这些系统优势的设想,Cree公司的两个新的GaN
RF
晶体管已设计,以提供最高的功率和效率住在一个小的封装尺寸。据称,所述第一设备(CGHV59350,350W /50Ω全匹配的GaN HEMT)是市场上的最高功率的C波段晶体管,而第二个(对CGHV31500F,一个500W /50Ω的GaN HEMT)是highest-功率S波段晶体管完全匹配到50Ω的单端封装的尺寸。这两款器件都被证明在IEEE MTT-S国际微波研讨会(IMS 2015)在亚利桑那州凤凰城,美国(5月17-21日)。
图片:Cree的CGHV59350和CGHV31500F的GaN HEMT。
“Cree的新的C波段和S波段的产品打破电力纪录住在一个小的封装50ΩGaN功率和效率的表现,”汤姆称德克尔,销售和市场营销,Cree公司
射频
主任。 “这种高效的动力使晶体管来实现需要用于国防,天气和空中交通管制雷达多千瓦功率放大器的组合的经济,”他补充道。 “如果我们认为值得的动力输出相对
射频
到50Ω封装领域的人物,Cree的350W C波段器件击败最接近商业化的GaN的竞争对手了约3.5倍。使用功德的数字相同,Cree的500W S-带内设备提高了45%的酒吧比其他商业S波段的产品。“
提供脉冲饱和功率性能通常比400W越大,CGHV59350最常用于在陆基防御和多普勒气象雷达系统。该50Ω,完全匹配的氮化镓HEMT工作在5.2-5.9GHz带宽和具有60%的典型漏极效率。
典型的饱和
RF
脉冲功率700W提供的CGHV31500F提供空中交通管制雷达系统。该50Ω,完全匹配的氮化镓HEMT工作在2.7-3.1GHz带宽和具有12分贝功率增益。
两款器件均封装在一个行业标准0.7“×0.9”陶瓷/金属法兰封装。
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