GDDR3显存仍在努力:海力士首创2xnm 4Gb

2012-09-20 21:23:21 来源:本站原创

在中高端显卡上,GDDR5显存已经全面普及,但对于低端市场,GDDR3乃至是DDR3仍是最佳选择。韩国海力士(SK Hynix)今天宣布,已经成功开发出业内第一款2xnm工艺的GDDR3 DRAM显存颗粒,单颗容量4Gb(512MB)。

该显存工作电压首次降至1.35V,相比之前的3xnm 1.5V产品可以节省30%的功耗,更加环保,尤其适合低功耗笔记本,能为之带来桌面级的性能,同时也继续支持标准的1.5V电压。

这种显存的1.35V电压工作频率为1.8GHz,16-bit I/O下的传输带宽达3.6GB/s。如果加压到1.5V,工作频率可提升至2GHz,带宽也增至4GB/s。用在128-bit主流显卡上,总带宽分别就是28.8GB/s、32GB/s。

海力士已经开始向客户提供这种新型GDDR3显存的样品,1.35V、1.5V版本编号分别为H5TC4G63AFR、H5TQ4G63AFR。

GDDR3显存仍在努力:海力士首创2xnm 4Gb

相关消息,海力士还于日前发布了2xnm DDR3L-RS低功耗移动内存颗粒,比之美光的30nm产品工艺上更加先进。电压也是1.35V,颗粒容量2Gb、4Gb、8Gb,SO-DIMM内存条容量2GB、4GB、8GB,号称比DDR3L内存待机功耗降低最多70%,性能则处于同一水平。

GDDR3显存仍在努力:海力士首创2xnm 4Gb

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