微波集成电路解决方案供应商Hittite微波公司于日前推出三款采用GaAs pHEMT技术的有源倍频器：HMC917LP3E，HMC916LP3E和HMC942LP4E，这三款产品都非常适用于汽车雷达、微波射频、医疗、卫星通信、传感器应用等领域。
HMC917LP3E是有源4倍频器，输出频率范围为6~10GHz； HMC916LP3E是有源3倍频器，输出频率范围为8~16GHz，当采用+5dBm的信号驱动时，这些MMIC的倍频器的输出功率可达+2dBm，另外在100Khz频偏处，单边带相位噪声低至 -152dBc/Hz 。HMC917LP3E和HMC916LP3E采用无铅的4x4 mm SMT封装技术，由+5V单电源供电，电流消耗83~91mA.
HMC942LP4E是一高功率的有源2倍频器，输出频率为25~31GHz。当采用+4dBm的信号驱动时，输出功率高达+21dBm，并且在输出端保持一个的-55dBc的隔离度。这款高性能的Ka波段（24.050~24.250GHz）倍频器采用无铅的4x4mm QFN SMT封装，工作在单电源+4.5V条件下，消耗电流仅为214mA。
HMC917LP3E，HMC916LP3E， HMC942LP4E都可以应用在点对点和VAST无线电通信中的本振（LO）倍频器链路，并且和传统分离元件设计方案相比，节省了元器件数量和PCB空间。这些低噪声倍频器非常适合用于驱动Hittite众多高性能混频器、变频器产品的LO端口，同时也是Hittite输出频率达到90GHz的有源和无源倍频器的补充。
