格芯官方正式宣布:放弃7nm FinFET项目!

2018-08-28 09:06:15 来源:n 评论:
格芯(GLOBALFOUNDRIES)官方在今天凌晨正式宣布:为支持公司战略调整,格芯将搁置7纳米FinFET项目,并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方
格芯(GLOBALFOUNDRIES)官方在今天凌晨正式宣布:为支持公司战略调整,格芯将搁置7纳米FinFET项目,并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。在裁减相关人员的同时,一大部分顶尖技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。

格芯方面表示,他们正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图,以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源,让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用,提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。

与此同时,格芯方面宣布,为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资,公司正在建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。相关的ASIC业务需要持续使用最先进的技术。该独立ASIC实体将为客户提供7纳米及以下的晶圆代工替代选项,让ASIC业务部与更广泛的客户展开合作,特别是日益增多的系统公司,他们需要ASIC服务同时生产规模需求无法仅由格芯提供。


这是汤姆·嘉菲尔德(Tom Caulfield)在今年年初接任首席执行官后做出的一个重大决定。


“客户对半导体的需求从未如此高涨,并要求我们在实现未来技术创新方面发挥越来越大的作用”。嘉菲尔德表示,“今天,绝大多数无晶圆厂客户都希望从每一代技术中获得更多价值,以充分利用设计每个技术节点所需的大量投资。从本质上讲,这些节点正在向为多个应用领域提供服务的设计平台过渡,从而为每个节点提供更长的使用寿命。这一行业动态导致设计范围到达摩尔定律外部界限的无晶圆厂客户越来越少。我们正重组我们的资源来转变业务重心,加倍投资整个产品组合中的差异化技术,有针对性的服务不断增长的细分市场中的客户。”


格芯正在加强投资具有明显差异化、为客户增加真正价值的领域,着重投资能在其产品组合中提供丰富功能的产品。这包括继续侧重于FDX平台、领先的射频产品(包括RF SOI和高性能锗硅)和模拟/混合信号,以及满足越来越多低功耗、实时连接、车载设计需求的其他技术。随着自动驾驶、物联网和全球过渡至5G等新领域的强劲需求,格芯被赋予与众不同的定位——服务“智能互联”这一新兴市场。


“减轻前沿技术领域的投资负担将使格芯能够对物联网、IoT、5G行业和汽车等快速增长市场中对大多数芯片设计人员真正重要的技术进行更有针对性的投资,” Gartner研发副总裁Samuel Wang,先生表示,“虽然最先进技术往往会占据大多数的热搜头条位置,但鲜少有客户能够承担为实现7纳米及更高精度所需的成本和代价。14纳米及以上技术将在未来许多年继续成为芯片代工业务的重要需求及驱动因素。这些领域将有极大的创新空间,可以助力下一轮科技发展狂潮。”


这一消息来的太过突然,格芯官网上7nm FinFET的介绍都还没来得及撤下。2017年6月14日发布的一篇题为“格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即”的新闻稿也赫然在列。

在那篇新闻稿中,格芯这样写道:

格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪,基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出,并将于2018年下半年实现量产。

2016年9月,格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀,来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进,7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比,预计面积将缩小一半,同时处理性能提升超过40%。目前,在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的Fab 8晶圆厂内,该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。

不玩7nm的,不止格芯
就在一周前,联电(UMC)也宣布“不再投资 12 纳米以下的先进工艺!”
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