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- 2021-01-13 10:40:47·Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET
- 2021-01-11 10:25:18·Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET
- 2020-12-23 13:40:37·Vishay推出600 V EF系列快速体二极管<font color="#f00">MOSFET</font>，为功率转
- 2020-12-17 09:43:28·Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 <font color="#f00">MOSFET</font>提供历经十亿个周
- 2020-11-04 12:37:05·器件新发明：具有两个栅极的新型集体管，可更好的用于混合信号和模拟计算
- 2020-10-28 09:10:25·Vishay推出集成式40 V <font color="#f00">MOSFET</font>半桥功率级，RDS(ON)和FOM
- 2020-10-20 09:29:36·东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
- 2020-09-24 11:11:31·Vishay推出新款200V N沟道<font color="#f00">MOSFET</font>的RDS(ON)导通电阻达到
- 2020-08-17 15:29:20·Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度
- 2020-07-10 15:15:30·Vishay推出新款30 V MOSFET半桥功率级模块，输出电流提高11 %
- 2020-06-29 14:30:37·瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器
- 2020-05-18 09:56:37·东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD
- 2020-05-08 18:17:03·Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装
- 2020-04-23 10:22:46·Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)
- 2020-04-22 08:41:50·东微推出超级硅MOSFET：效率媲美氮化镓
- 2020-03-16 16:26:09·【泰克电源设计与测试】致工程师系列之二：
- 2020-03-31 08:26:34·东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
- 2020-03-12 15:37:39·安森美半导体推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用
- 2020-02-20 08:55:46·安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品，籍此扩展市场领先的低RDS(on) <font
- 2020-02-12 08:51:22·Vishay推出采用PowerPAK® 1212 8S封装的-30 V P沟道<font color="#f00">MOSFET<