温度传感器IP 挺进5nm

2020-06-12 12:39:28 来源:EETOP编译自mynavi
英国Moortec半导体公司宣布采用台积电的5nm工艺(N5)的片上嵌入式传感器IP。在本公告发布之时,该公司举行了一次情况介绍会。

Moortec本身是位于英国普利茅斯的IP供应商。它成立于2005年,但它成立后似乎已经在Stealth模式下运行了大约5年,起初它是一家生产模拟IP,混合信号IP和定制芯片的制造商,但也提供DSP IP。

但是,在2012年,开始提供适用于65-28 nm工艺的温度传感器IP,此后,该公司的产品组开始从传统的模拟/混合信号IP转变为片上传感器IP。

2013年,开始提供适用于40 / 28nm工艺的PVT(工艺/电压/温度)传感器IP . 2019年,提供Arm的Neoverse N1监控解决方案和TSMC的N5P监控解决方案等等,到现在,它已经成为一种完全依靠芯片传感器IP的供应商。

现在,Moortec的新产品已经成为专门用于此类芯片传感器IP的供应商,它是用于N5工艺的DTS(分布式热传感器)。通过每个芯片最多配置16个温度传感器并实时获取数据,可以更有效地监控PVT。
 

 

图1:芯片内部提供了一个DTS中央集线器,并从此处连接了多达16个温度传感器。

原本,该公司的温度传感器一直以能够实时检测温度而著称,人们质疑其实时到了何种程度? 英特尔AMD的新CPU就是很好的例子。电压和频率控制为微妙级,而不是按毫秒的数量级,当然温度传感器端也遵循该速度。

在此次的DTS中,虽然没有出现具体的哪个数字,但是如在该应用中(Photo02)所示,例如基于温度的负载分散、耗电量控制、热压力控制等应用具有足够的速度。根据该公司的说法,这次的温度传感器可以与该公司以往提供的Sensor IP和Monitering Subsystem组合使用,对于使用N5工艺的SoC,不仅可以提供DTS,还可以提供整体解决方案。

实际上,在5 nm世代中,处理方面有很大的差异(这种故事自65 nm以来就存在了),因此,特别是对于多核SoC,每个核的操作环境都会发生变化, PVT平衡的地方将会改变。借助此功能,英特尔的Turbo Boost Max Technology 3.0选择了以最高速度运行并提高运行频率的内核.

英特尔AMD已经开发出了自己的高精度数字传感器,可以在芯片上工作,但普通的厂商都不具备这样的技术。这也是Moortec的IP发挥作用的地方,他们之所以将目标锁定在5nm上,是因为 这正是因为现在有大量的厂商正在启动5nm设计。
 


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