英特尔路线图：
从上面的技术路线图，我们发现英特尔采用了其最新的节点命名。
英特尔10纳米 "等同于 "台积电7纳米 "已经不是什么秘密了，尽管这些数字实际上与物理实现没有关系，但在英特尔已经有一段时间了。很多业界人士，无论出于什么原因，还没有意识到这些数字实际上不是一个物理测量。它们曾经是，但是当我们从二维平面晶体管转移到三维FinFET晶体管时，这些数字就变成了一个营销工具而已。尽管如此，每次有关于该技术的文章，人们都会感到困惑
为此，英特尔正在重新命名其未来的工艺节点。接下来我们将逐条分解。
2020, Intel 10nm SuperFin (10SF):
目前这一代技术用于Tiger Lake和英特尔的Xe-LP独立图形解决方案（SG1，DG1）。名称保持不变。
2021 下半年, Intel 7:
以前被称为10纳米增强型超级鳍片或10ESF。Alder Lake和Sapphire Rapids现在将被称为Intel 7产品，由于晶体管的优化，展示了比10SF每瓦10-15％的性能提升。Alder Lake目前正在进行批量生产。英特尔的Xe-HP现在将被称为英特尔7产品。
2022 下半年, Intel 4:
以前被称为英特尔7纳米。英特尔今年早些时候表示，其Meteor Lake处理器将使用基于该工艺节点技术，目前该硅片已回到实验室接受测试。英特尔预计每瓦性能比上一代产品提高20%，该技术使用更多的EUV，主要是在BEOL。英特尔的下一个至强可扩展产品Granite Rapids也将使用基于英特尔4。
2023 下半年, Intel 3:
增加使用EUV和新的高密度库。这是英特尔的战略变得更加模块化的地方-- Intel 3将共享Intel 4的一些特性，但新的特性足以说明这是一个新的完整节点，特别是新的高性能库。尽管如此，预计会有一个快速的后续发展。在EUV使用方面的另一个步骤，英特尔预计在2023年下半年进行制造升级，每瓦特性能比Intel 4增加18%。
2024, Intel 20A:
转向两位数的命名，A代表Ångström(埃米)，或10A等于1纳米。细节不多，但这是英特尔将从FinFETs转向其称为RibbonFETs的Gate-All-Around（GAA）晶体管版本。另外，英特尔将首次推出一种新的PowerVia技术。
2025, Intel 18A:
英特尔预计在2025年拥有18A工艺。18A将使用ASML最新的EUV机器，被称为High-NA机器，它能够进行更精确的光刻。英特尔表示，当涉及到High-NA时，它是ASML的主要合作伙伴，并将收到第一个High-NA机器的生产模型。
英特尔已经确认，Intel 3和Intel 20A将提供给代工客户(但没有说明是否Intel 4或Intel 7)。
汇总:
这里的一个问题是流程节点准备就绪、为产品发布启动生产和实际可用之间的区别。例如，AlderLake(最新工艺命名位Intel 7)将于今年推出，但Sapphire Rapids将更倾向于在2022年推出。类似地，有报道称Intel 7的Raptor Lake将于2022年问世，以取代Alder Lake，而Intel 4的Meteor Lake将于2023年推出。
为什么要重命名节点？
如前所述，重新命名节点的一个因素是为了与其他晶圆厂的产品相匹配。英特尔的竞争对手台积电和三星都在使用较小的数字来比较类似的密度工艺。随着英特尔现在重新命名自己，它变得与行业更加一致。也就是说，也许是偷偷摸摸的，Intel 4制程可能与台积电的5nm制程不相上下。
