中国大陆SiC衬底与外延现况
衬底：中国大陆厂商与国际龙头Cree在衬底技术差距仍大，但正逐步缩小。现阶段中国多数衬底厂商具备6吋量产能力，山西烁科8吋SiC衬底片已研发成功，虽仅落后Cree一年，但量产进程还远远不及（Cree位于美国北卡罗莱纳州的8吋SiC产线预计2022上半年开始产能爬坡）。
外延：中国纯粹外延片供应商主要有两家：厦门瀚天天成、东莞天域，均可提供4 / 6吋外延片；此外，中电科13所、55所皆有内部供应的外延片生产部门。
衬底：目前全球GaN单晶衬底市场以日本研究水准较高；在中国大陆方面，苏州纳维、东莞中镓、上海镓特等极少数玩家具备GaN衬底制备能力。
外延：主流GaN外延片（Si基／SiC基）供应商依旧集中在欧洲国家和日本，中国大陆厂商尚未进入供给端第一梯队，仅苏州晶湛、聚力成、聚能晶源等厂商参与。
尺寸方面，6吋衬底已全面实现商业化，Cree首批8吋衬底预计2022年试产，2024年全面量产。随着SiC电力电子器件大规模推广应用，对器件成本会越来越敏感，未来大尺寸衬底比例将不断增加。
价格方面，尽管目前4吋SiC衬底成本不到6吋一半，在低阶器件市场如二极体等，4吋衬底尚有一定竞争力，但随着SiC材料技术进一步成熟，6吋衬底降价空间非常大，预计5年左右会降至目前4吋片价格。在8吋衬底方面，前期产能爬坡过程中成本较高，但进入大规模量产阶段后，成本将迅速下降，最终会有成本优势交叉点。
一线新能源车企预计2025年全面采用SiC替代方案，仅逆变器部分就将消耗绝大部分SiC衬底产能，若再将车载OBC、DC/ DC等组件考虑进去，需求量将进一步扩大，因此2025年有望成为SiC衬底价格下降的关键转捩点。
