2020年迎来了第三代半导体氮化镓(GaN)的应用浪潮，其应用范围从汽车到音频放大器。为此外媒allaboutcircuits采访了GaN Systems首席执行官Jim Witham，以了解他为什么认为2021年将有更多GaN被采用。
虽然20年前氮化镓(GaN)晶体管曾是大学研究项目的重点，但这些器件现在已被整个行业广泛采用--尤其是在2020年。
GaN晶体管现在是硅基FET的热门替代品，因为它们具有极高的电子迁移率。这也使得GaN比硅基晶体管具有更小的导通电阻和更快的开关速度。
GaN晶体管的驱动方式与传统MOSFET相同，因此很容易集成到现有设计中。这就是为什么2020年标志着市场对GaN的接受度达到了一个高峰，比以往任何时候都有更多的电源、音频放大器、数据中心和汽车系统采用了GaN。
首先，从快速充电器到数据中心，GaN似乎在许多关键行业都取得了长足发展。虽然GaN并不是所有电源应用的解决方案，但根据Witham的说法，它的“最佳电压范围”在60 V到1200 V之间。
"硅适用于低电压(60 V及以下)和低功率，GaN是中等电压(60-1200 V)和中等功率的理想选择，而SiC和IGBT则适合高电压(1200 V及以上)和高功率，"他认为。
2020年GaN被广泛采用的一个市场是手机、平板电脑和手持游戏设备等应用的充电器和适配器市场。
造成这种需求的直接原因是快速充电的广泛推动，特别是来自亚洲制造商的快速充电。更快的充电需要更高的功率，这通常意味着设备尺寸更大。而采用GaN则可以比硅充电器实现更小的充电器和更高的功率。
"尤其是华为、Oppo和小米都在真正推动快充。"Witham说。GaN Systems预测，随着GaN成为行业标准，2021年其他大牌也会开始将自己的GaN充电器推向市场。
对小型、高质量、低功耗的音频设备的需求不断增长，使得D类音频放大器成为设计人员的最爱。依靠MOSFET输出级，D类放大器依靠这些晶体管的快速开关速度，准确地再现了音频波形。
对低功耗的小型高质量音频设备的需求不断增长，使D类音频放大器成为设计师的最爱。D类放大器依靠这些MOSFET晶体管的快速开关速度来准确地重建音频波形。
GaN具有极高的开关速度，这是GaN超越硅的另一个方面，有时比硅基FET快1000倍。GaNSystems的白皮书对 这种出色的音频质量进行了量化，表明基于GaN的D类放大器可以产生低至0.004％的总谐波失真（THD），而硅产品仅为0.015％。
Witham评论说：“我有音频专家告诉我，这将达到完美晶体管的水平。”由于尺寸减小和出色的音频质量，GaN Systems预测，世界著名的音频品牌将在来年生产基于GaN的音频放大器。
从GaN Systems的角度来看，GaN是日益繁重的数据中心的必不可少的支柱，随着越来越多的人在家工作，数据中心正在管理空前的功耗和数据密度。该公司表示，GaN晶体管可以在三个关键领域做出显着改进：
实现更小，更高效的电源，将使数据中心可以在机架中放置更多服务器，从而提高每平方米的利用性能。
GaN Systems认为大有可为的最后一个领域是汽车行业。事实上，去年丰田车展上就宣布了一款 "全GaN "汽车。随着国际政府和公众对电动汽车的要求越来越高，除高级电池技术外，设计师还肩负着集成更小，功率密度更高的系统的任务。
在Witham眼中，2021年“就是要看到GaN晶体管上路。”
据GaN Systems公司和许多其他半导体制造商称，早期围绕GaN的担忧已不再迫在眉睫。
随着产量的增加，GaN的成本也会下降，"Witham说。
谈到设计学习曲线，Witham幽默地指出："GaN有点像法拉利，你必须学会如何驾驶它。"
GaN对于Witham而言，最令人兴奋的希望之一就是它将产生长期的环境影响。Witham认为：“我们正处于动力革命之中。我们看到了这些小型，轻便，高效的电力电子设备的问世。。。他们将使地球变得更美好。”
