三星弯道超车悬了!台积电 2纳米 GAA 已进入交付研发,2023年试产

2020-09-21 13:26:36 来源:technews
消息指出,台积电2纳米制程研发,现已离开寻找路径阶段,进入交付研发,且法人预期2023 年下半即可风险性试产。

台积电去年就成立2纳米专案研发团队,在考虑成本、设备兼容、技术成熟及效能表现等多项条件下来寻找可行路径,如今台积电虽然仍没有公布细节,但已表示将会是全新架构。而据供应链消息透露,台积电2纳米即将改采全新的GAA 基础,使用多桥通道场效应晶体管(MBCFET)架构。

这是由于3纳米已达FinFET 技术的瓶颈,会出现制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,就算有EUV 技术加持,但2纳米势必要转换跑道。虽然三星提早在3纳米就打算采用GAA ,意图在此技术上弯道超车台积电,但台积电研发多年的纳米片(Nano Sheet)堆叠关键技术,及EUV 运用经验,将能使良率提升更顺利。

所以不少业内人士预期,若2纳米在2023年即能投产,三星就算在弯道恐怕也超不了车。就目前台积电所公布的制程推进现况来看,采用EUV 的5纳米良率已快速追上7纳米,显见台积电在良率提升上的底蕴,甚至有业界预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3纳米GAA,但在性能上未必能压过台积电,而GAA 良率上的落差可能也不会如预期般明显,且据传2纳米背后还有苹果的研发能量支持。

不过未来半导体制程将会更加竞争,不仅是三星,英特尔的SuperFin 技术也不可小觑,虽然纳米节点时程落后,但实际性能并不真的多差。早有舆论认为,台积电及三星的制程竞逐,很多只是数字游戏,而英特尔其实相对踏实,就实际晶体管密度等指标来看,新的英特尔10纳米强化版已接近台积电5纳米,是非常大的单一节点升级。

只要英特尔也敢忍痛杀价,SuperFin 仍然很有高阶制程市场的竞争力,就如同三星8纳米已打出一片市场一般,台积电虽然还占有优势,但仍不能轻敌。目前台积电已表示,未来2纳米研发生产将落脚新竹宝山,将规划建设4 个超大型晶圆厂,将成为下一轮半导体大战主力。 
 


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