三星电子成功研发3D 晶圆封装技术「X-Cube」，宣称此种垂直堆叠的封装方法，可用于7 纳米制程，能提高晶圆代工能力，要借此和业界领袖台积电一较高下。
三星官网13日新闻稿称，三星3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能让速度和能效大跃进，以协助解决新一代应用程式严苛的表现需求，如5G、人工智能（AI）、高性能运算、移动和可穿戴装置等。
三星晶圆代工市场策略的资深副总Moonsoo Kang 说：「三星的新3D 整合技术，确保TSV 在先进的极紫外光（EUV）制程节点时，也能稳定联通」。有了X-Cube，IC 设计师打造符合自身需求的客制化解决方案时，将有更多弹性。X-Cube 的测试芯片，以7 纳米制程为基础，使用TSV 技术在逻辑晶粒（logic die）堆叠SRAM，可释放更多空间、塞入更多存储器。
有了3D整合方案，晶粒间的讯号传输路径将大为缩短，可加快数据传送速度和能源效益。三星宣称，X-Cube可用于7纳米和5纳米制程。
韩国时报13 日报导，封装是晶圆生产的重要环节，过去几年来，三星强化封装技术，超薄封装能缩短积体电路的讯号传输路径，加快传递速度、提升能源效益。三星将在16~18 日的Hot Chips 峰会，公布更多X-Cube 的细节。
