随着制程工艺的升级，晶体管的制作也面临着困难，Intel最早在22nm节点上首发了FinFET工艺，当时叫做3D晶体管，就是将原本平面的晶体管变成立体的FinFET晶体管，提高了性能，降低了功耗。
FinFET晶体管随后也成为全球主要晶圆厂的选择，一直用到现在的7nm及5nm工艺。
Intel之前已经提到5nm工艺正在研发中，但没有公布详情，最新爆料称他们的5nm工艺会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。
GAA晶体管也有多种技术路线，之前三星提到他们的GAA工艺能够提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面积，不过这是跟他们的7nm工艺相比的，而且是初期数据。
考虑到Intel在工艺技术上的实力，他们的GAA工艺性能提升应该会更明显。
如果能在5nm节点跟进GAA工艺，Intel官方承诺的“5nm工艺重新夺回领导地位”就不难理解了，因为GAA工艺上他们也是比较早跟进的。
至于5nm工艺的问世时间，目前还没明确的时间表，但Intel之前提到7nm之后工艺周期会回归以往的2年升级的节奏，那就是说最快2023年就能见到Intel的5nm工艺。
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