GAA 3纳米落后三星18个月！另辟蹊径出绝招，台积电超越三星

2020-02-21 12:25:53 来源：中时电子报

台积电5纳米制程今年下半年进入量产，进度落后的竞争对手三星积极押注下一代制程追赶，两家公司可望于3纳米制程再度交手决战高下，预期台积电可能于4月29日北美技术论坛公布3纳米最新进展，市调机构推估，台积电将先采用FinFET（鳍式场效电晶体）3纳米，之后在3或2纳米后期阶段才导入GAA（环绕闸极）制程技术。

在7纳米、5纳米制程，台积电和三星都采用FinFET制程技术，不过跨入下一代3纳米节点，三星已于去年底宣布采用GAA，跟7纳米相较，其晶片面积减少45%，功耗降低50%，整体运算效能拉高35%。

市场研究机构IBS指出，台积电于3纳米之所以采用FinFET架构，原因在于想抢在2021年第3季正式进入量产，这速度超前三星快1季的时间。毕竟台积电在GAA架构的开发落后三星12至18个月，因此延用3纳米FinFET策略，可望弥补时程的劣势。

台积电可能会依据技术的发展路径，改变3纳米战略，首先计划采用3纳米FinFET，之后或许会调整，在3或2纳米的后期阶段才导入GAA架构的制程技术。

随着制程技术的提升，成本价格也不断水涨船高，但并非所有芯片都需使用3纳米或更先进制程，除了苹果、华为、三星、高通等大厂未来推出的产品使用高端制程外，其他厂商不太需要抢用这部分的产能。

关键词： GAA 3纳米台积电

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