采用GaSb和InAs打造的新型存储器，可兼顾DRAM和NAND，有望卷动千亿美元内存市场

2020-01-16 13:25:37 来源：cnbeta

多年来，存储器制造商一直试图在单个封装中集成动态随机存储器（RAM）和闪存（NAND）的共同优势，但一直收效甚微。新型非易失性存储器，有望成为技术突破的一个关键。其具有类似于 RAM 的运行速度、以及 NAND 的断电非易失特性。能够瞬时打开、并从上次中断的位置恢复，为即时（Instand-On）PC 的到来而铺平道路。

经常关注存储技术的朋友，可能或多或少地听说过几种可让 RAM 和 SSD 运行更快、更密集、更节能的新技术。

另有一些研究试图推动“内存中计算”的方法，从根本上消除了数据在处理器、内存等部件之间往返所导致的性能滞后。

上述想法都基于如下事实，即将数据写入 DRAM，是一种快速且节能的方案。可一旦断电，数据的完整性也难以维持。此外系统必须不断刷新数据，导致效率不是很高。

另一方面，NAND 是一种相对健壮的数据存储方式，只是写入和擦除的速度太慢，导致存储单元性能下降，难以取代现有的 DRAM 。

好消息是，英国兰开斯特大学的研究人员称，他们已经打造了一种新型的非易失性存储器 —— 速度可与 DRAM 媲美，写入能耗却仅为百分之一。

这项技术被称作 UK III-V 存储器，其基于 20nm 光刻工艺制造，写入时间仅为 5ns（与 DRAM 相当），且提供了类似闪存的简单读取特性。

更棒的是，这是一种非易失性存储，能够在断电时保持数据的完整性。