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富士通电子推出能在苛刻环境正常工作的SPI 2Mbit FRAM
2019-11-01 09:29:28
来源:
富士通
上海,2019年10月30日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出型号为 MB85RS2MTY的 SPI 2Mbit FRAM(注一)。此款容量最高的FRAM产品能在高达摄氏125度的高温下正常运作,其评测样品(evaluation sample)现已开始供应。
此款FRAM非易失性内存在运作温度范围内能保证10兆次读/写次数,并支持实时记录像驾驶数据或定位数据等,这类需要持续且频繁的数据记录。由于该内存属于非易失性,并且具有高速写入特点,即使遇到突然断电的状况,写入的数据也能完整保留不会遗失。因此,这款产品适用于需在高温环境下运作的应用,像是具有会产生大量热能的引擎或马达的
汽车
设备与工业机器人。
富士通电子在过去约20年量产各种FRAM非易失性内存产品,具备比EEPROM及闪存更高的读∕写耐久性、高速写入速度及超低功耗。近几年来,这些产品被广泛应用于可穿戴装置、工业机器人与无人机。
这款拥有2Mbit密度的产品采用SPI接口,支持从1.8v至3.6v的宽电压范围,且运作耐热度可高达摄氏125度;即使在这样的高温环境也能保证10兆次的读∕写次数,相当于EEPROM的一千万倍;最高运作频率则达到50 MHz,比现有产品快1.5倍。此外,这些产品的可靠性
测试
符合AEC-Q100 Grade 1标准,达到被称为“
汽车
级”产品的认证标准。
此款FRAM采用业界标准8-pin SOP封装,使其能轻松取代现有类似脚位的EEPROM产品。此外,也提供拥有8-pin DFN(Dual Flatpack Non-leaded)的封装。
富士通电子持续为IC卡、工业机械与消费性装置提供数据写入效能高于EEPROM的FRAM产品。能在最高摄氏125度环境下运作的FRAM产品自2017年起就已经量产,因此这类FRAM逐渐被广泛应用在需要在高温下维持运作与高可靠性的
汽车
及工业机械市场。此次富士通电子研发并推出最大容量的2 Mbit产品,借此强化可运作于高达125度的FRAM产品阵容。
图三:MB85RS2MTY的主要特色
富士通电子将持续提供各种FRAM产品与解决方案,协助客户提升各类应用的价值与便利性。
关键规格
组件型号:MB85RS2MTY
容量(组态):2 Mbit(256K x 8位)
接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
运作频率:最高50 MHz
运作电压:1.8伏特 - 3.6伏特
运作温度范围:摄氏零下40度 - 摄氏125度
读∕写耐用度:10兆次 (1013次)
封装规格:8-pin SOP与8-pin DFN
认证标准:符合AEC-Q100 Grade 1
词汇与备注
注一:铁电随机存取内存(FRAM)
FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有
电源
的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM,亦称为FeRAM。
关键词:
富士通
FRAM
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