通常在新技术投产后一年，才会进行下一代技术试产，但台积电如此激进，说明其7nm并非是完全重新设计的产物，而刘德音先生也证实，他们的7nm技术是基于10nm开发，生产上互相兼容，关系类似于之前的16nm和20nm。
台积电没有透露7nm技术细节，但承诺将改进现有技术缺陷。报道原文中还指出，事实上台积电的10nm相对于其现有的16nm FinFET+并没有显著的改进，而台积电的7nm是基于10nm的话，可能并没有什么用。
通常在新技术投产后一年，才会进行下一代技术试产，但台积电如此激进，说明其7nm并非是完全重新设计的产物，而刘德音先生也证实，他们的7nm技术是基于10nm开发，生产上互相兼容，关系类似于之前的16nm和20nm。
台积电没有透露7nm技术细节，但承诺将改进现有技术缺陷。报道原文中还指出，事实上台积电的10nm相对于其现有的16nm FinFET+并没有显著的改进，而台积电的7nm是基于10nm的话，可能并没有什么用。
