台积电将“爆发”:明年10NM,后年7NM

2015-04-20 09:13:30 来源:本站原创

台积电这些年几乎在每一代新工艺上都会遭遇不顺,最新的16nm FinFET更是量产推迟被三星14nm FinFET抢尽了风头,不过作为代工厂老大怎么能屈服?画个大饼总是可以的。

台积电在近日的季度财务会议上宣布,将于2016年给大家带来10nm工艺,再往后的2017年则做到7nm——一年一代的节奏啊!Intel都要下跪啊!

台积电表示,两种新工艺都进展顺利,均可以按计划搞定,而且都会像16nm一样集成FinFET立体晶体管技术。台积电甚至披露,已经开始与客户合作开发10nm芯片的设计了,将在今年第四季度完成验证,明年底即可量产。

而对于当下的16nm,台积电表示问题都已经解决,特别是良品率已经接近成熟水平,第三季度就能投入量产了。

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