半导体产业的纳米大战一路打下来，从 2X 纳米厮杀到 1X 纳米制程，随着英特尔、三星连格罗方德都喊出 14 纳米量产，使得目前最先进制程仍在 16 纳米的台积电备感压力，英特尔与三星日前宣示 2016 年量产 10 纳米，台积电也加紧脚步，誓言在下一代制程要抢回领先优势。
先前台积电才宣布 10 纳米制程要在 2017 年量产，现在看来时间似乎有望稍稍提前，台积电总经理暨共同CEO刘德音周二在加州圣荷西市参加技术论坛时表示，2016 年底量产 10 纳米，且届时产能将能满足客户的需求。
先前外资圈即传出台积电 10 纳米制程技术大幅提升，Morgan Stanley 日前发布的投资报告也看好 EUV 技术，认为其有助于台积电在 10 纳米以下制程迎头赶上英特尔。
据先前媒体报导，英特尔 10 纳米技术预计 2016 年下半年量产、采用 10 纳米技术的 Cannonlake 处理器于 2017 年上半年出货，而三星今年二月已于旧金山展示移动设备用 10 纳米 FinFET 半导体制程，也被认为有机会赶在英特尔之前推出 10 纳米移动芯片组。
