预计到 2022 年，适合雷达应用的 RF 前端组件的需求量将超过 10 亿美元，未来五年的复合年增长率为 9%。由于 GaN 普及率明显超过其他技术选项，因此预计未来五年，国防应用的 RF GaN 器件市场（如雷达、电子战和通信）的复合年增长率将达到 24%。
Qorvo 的新型 FEM（QPM2637 和 QPM1002）采用公司的创新 GaN 技术构建，可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性，同时可缩减尺寸、重量和成本。
GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能，包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到 100mW 的输入功率条件下都会受损，与之相比，GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的输入功率，且不会造成永久损坏。
Qorvo 高性能解决方案总经理 Roger Hall 表示：“利用 Qorvo 经过现场验证的 GaN 技术，客户可解决许多 AESA 雷达系统设计相关挑战，包括提高功率输出和可靠性。新推出的 GaN 模块符合出口要求，提升了我们交付最高级别集成产品（四合一产品）的能力，有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的 FEM。”
