物联网改变的不只是消费者的生活，对产业而言，更是一场典范转移。物联网之下，以往制造业大量生产创造规模经济的模式不再，取而代之的是多元化应用 与少量多样的产品特性，日本在今年 4 月推出迷你晶圆厂（Minimal Fab）强调造价低廉、小批量生产，就是瞄准物联网感测器少量多样的需求。
现在连三星也出现晶圆代工策略的大改变，不只是为物联网，更是为降低对高通与苹果等大客户的依赖。据韩国媒体 ET News 报导，三星正在改变原本量产的晶圆代工策略，转向小量多样化接单，并开始接美国、韩国、中国中小型规模厂商订单，三星称此计划为“开放式晶圆厂（open foundry）”。报导中指出包含如 HanaTech、AlphaChips、KoreaChips 等韩厂，以及台湾世芯（AllChip）、中国芯原（VeriSilicon）、美国加州 e-Silicon 等其他海外 IC 设计厂都是三星此次策略合作的对象。
不只接单，制程技术或也可能出现变化，FinFET 技术被视为 20 纳米以下半导体制程微缩的重要技术，不少半导体大厂将资源倾注在 FinFET，但在物联网浪潮来临，FD-SOI（全耗尽型绝缘层覆矽）技术也日渐受到重视。与 FinFET 相比，FD-SOI 基板虽然较贵，但在掩模数量与制造工序比 FinFET 来得少，减少部分光罩成本也缩减了制造时间，在技术上比 FinFET 更适合类比/混合讯号、RF，FD-SOI 还具备了低功耗的优势，因此，不少人认为 FD-SOI 将是物联网较佳选择，或能与 FinFET 互补。
FD-SOI 由意法半导体借力与三星、IBM、格罗方德所组的 ISDA（国际半导体开发联盟）所开发，除了掌握技术的意法半导体本身，三星以 FinFET 致力在 14 纳米、10 纳米等先进制程竞逐外，也在生命周期较长的 28 纳米制程布建 FD-SOI 产能，传出 FD-SOI 已达到黄金良率，并估计于第三季开始量产。
而格罗方德押宝 FinFET 的同时，在去年即基于 22 纳米 FD-SOI 推出“22FDX”平台，声称晶粒尺寸缩减 20%，光罩数目减少 10%；相较 foundry FinFET，减少近 50% 的浸润式微影层，并强调对比 28 纳米 HKMG 功耗的大幅缩减。
物联网掀起的变革，从晶圆代工也可见端倪。
