Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

2021-05-28 08:32:46 来源:Nexperia
奈梅亨,2021年5月27日:基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET,该器件采用高可靠性的LFPAK88封装,适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外,这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能,从而提高了耐用性和可靠性。

Nexperia产品市场经理Neil Massey评论道:“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合,后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。低RDS(on)能够让我们将更多芯片封入在封装中,从而提高功率密度,缩小器件管脚尺寸。”

这些新型功率MOSFET的尺寸仅为8 x 8 x 1.7 mm,具有领先的线性模式/安全工作区域(SOA)特性,可在大电流条件下安全可靠地开关工作。在1 ms、20 VDS的工作条件下,由于芯片和封装的组合,SOA为35 A,而在10 ms、20 VDS的工作条件下,此时封装将起主导作用,SOA为17 A。这些数据优于竞品1.5倍至2倍。这些器件还提供最佳单脉冲雪崩额定值(EAS) 2.3 J以及超强ID电流额定值500 A,与其他竞品不同的是,该值是测量得出的极限,而非理论上的极限。

凭借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的优势,设计人员能够用一个新型LFPAK88替换两个并行老式器件,从而简化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101标准的BUK7S0R5-40H器件提供超出车规标准要求两倍的可靠性,适合制动、助力转向、电池防反保护、e-fuse、DC-DC转换器和电机控制应用。工业PSMNR55-40SSH MOSFET适合电动工具、电器、风扇、电动自行车、滑板车和轮椅中的电池隔离、电流限制、e-fuse、电机控制、同步整流和负载开关应用。
 
有关更多信息,包括产品规范和数据手册,请访问www.nexperia.com/lfpak88。  需详细了解LFPAK88铜夹片封装的独特构造,请观看https://bit.ly/3yd47xQ


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