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Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计
2020-02-27 08:51:05
来源:
cnbeta
分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名
汽车
工程咨询公司Ricardo合作,以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。
GaN是这些应用的首选功率器件,因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在
汽车
领域,这意味着车辆行驶里程更长,而这正是所有电动
汽车
消费者最关心的问题。现在,GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC,成为插电式混合动力
汽车
或纯电动
汽车
中使用的牵引逆变器的首选技术。
Nexperia去年推出了一系列已获AEC-Q101认证的GaN FET器件,在这一高效技术领域为
汽车
设计师们提供成熟可靠的器件及不断扩充的产品组合,从而提供动力系统电气化所需的功率密度。Ricardo在
汽车
行业深受好评,这家全球性工程创新公司为
汽车
行业的概念提供设计和咨询服务,包括技术原型和演示器的生产,并与McLaren和Bugatti等著名领先品牌合作。对于该项目,Ricardo是Nexperia理想的合作伙伴。
Nexperia GaN FET器件的总经理Michael LeGoff表示:“通过将GaN FET器件用于逆变器设计并由Ricardo对逆变器进行试验,我们能够更好地了解如何安全可靠地驾驶车辆。我们正在开发一个实际解决方案,相信许多
汽车
设计师有兴趣了解该解决方案,并发现该解决方案的优势。”
Ricardo技术与产品总监Adrian Greaney称:“
半导体
技术是逆变器系统效率的关键,在电动
汽车
性能和效率方面发挥着重要作用。氮化镓可以显著提高开关速度和效率,堪称一项推动性的技术。除了增加行使里程,它还有助于缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量,从而提供更大的动力系统设计灵活性,并有助于减轻车辆重量。从系统层面看,该设计还有许多优势,Ricardo非常高兴能够与Nexperia就GaN FET器件展开合作。”
关键词:
GaN
EV逆变器
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